安森美半导体总裁兼执行长Keith Jackson表示，欢迎格芯Fab 10团队加入安森美，在迈向功率及类比半导体的领先厂商的过程中，取得东菲什基尔300mm晶圆厂是另一个重大进展。未来几年，这座晶圆厂可以挹注更多产能，帮助功率和类比产品的成长、提高生产效率、并加速实现财务模型的进程。
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4月16日，三星宣布完成5nm FinFET工艺开发，台积电则推出了6nm（N6）工艺，都将利用EUV光刻，在2020年开始投产。
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在2022年年底格芯将把Fab 10的拥有权转让给安森美。目前Fab 10是制造和ASIC客户的90/65/45/32 22/22/14nm逻辑平台的所在地，近在RF SOI和矽光子技术领域建立了新的功能，包括利用90nm和45nm技术的矽光子产线。格芯将继续投资新加坡和伯灵顿的200mm设施，以提高在射频、嵌入式储存体和类比混合号方面的领X地位。
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