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型号：E8000 E3950 SLJ4K/QS67 SLJ8B/QS77 I5-8350U SR349 3865U N4100 SR3S0 DH82029PCH SLKM8 J1900SR3V5 BD82HM65 SLJ4P BD82HM67 SLJ4N BD82NM70 SLJ8C DH82HM86 SR17E SR17D DH82HM87BD82B75B SLJ85 BD82H61 SLJ4B BH82Z87 SR13A DH82H81 SR177 J4005 J4105 J5005 SR2ZUI5-7200U SR342 SR2KT SR2Z6 4415U 5405U N3350 SR2Z6 N3450 SR3SO N4100 SR2Z7 J3455 SR2Z9 SR347 m3-7Y30 QK0N ES J3160 J5005U
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并收BD82HM65 SLJ4P BD82HM77 SLJ8C BD82HM76 SLJ8A BD82HM67 SLJ4N
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等笔记本北桥芯片显存颗粒:K4G20325FD-FC03 K4G41325FC-HC03 EDW4032BABG-60-F K4G80325FB-HC28 K4G41325FE-HC28K4G41325FE-HC25 K4G80325FB-HC25 H5GC4H24MFR-T2C
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然而，随着DRAM制程向10nm靠近，其技术难度越大，包括芯片设计、生产良率、兼容性等问题。三星从2018年中开始使用18nm制程量产8Gb容量的服务器DRAM芯片，如今三星1xnm DRAM良率不佳，或加快1znm技术发展。
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